[00274664]相移电控制取样光栅半导体激光器及其设置方法
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201210370711.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提出了一种基于相移电控制的取样光栅半导体激光器，所述的DFB半导体激光器结构由第一与第二两个取样光栅区和一个相移区组成；两边取样光栅区中的光栅是取样布拉格光栅（SBG），中间为相移区，取样周期从1微米到数十微米量级；两个取样光栅区的电极连接在一起，但与相移区的电极相隔离；取样光栅区和相移区的有效折射率与长度，分别用nSBG和nP、LSBG和LP来表示；只要改变取样周期P的大小，就能实现对激光器激射波长的初步控制；构成相移电控制的取样布拉格光栅分布反馈式（DFB）半导体激光器。
本发明提出了一种基于相移电控制的取样光栅半导体激光器，所述的DFB半导体激光器结构由第一与第二两个取样光栅区和一个相移区组成；两边取样光栅区中的光栅是取样布拉格光栅（SBG），中间为相移区，取样周期从1微米到数十微米量级；两个取样光栅区的电极连接在一起，但与相移区的电极相隔离；取样光栅区和相移区的有效折射率与长度，分别用nSBG和nP、LSBG和LP来表示；只要改变取样周期P的大小，就能实现对激光器激射波长的初步控制；构成相移电控制的取样布拉格光栅分布反馈式（DFB）半导体激光器。
