[00273179]一种太赫兹波的光学调制器件、调制方法及装置
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410349829.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件，用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层，该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率；复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法，令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射；通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强，使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化，实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制，且调制的频率和幅度范围大、调制速度快，实现成本低。
本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件，用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层，该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率；复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法，令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射；通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强，使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化，实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制，且调制的频率和幅度范围大、调制速度快，实现成本低。
