[00272257]一种SOI‑LIGBT器件及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710096610.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P体区2，介于反型所形成的高电阻，阳极P+中的空穴可以更快的注入漂移区，从而消除负阻效应。对比普通SA‑LIGBT，本发明在关断速度不变同时击穿电压提升的情况下，消除了阳极短路LIGBT(SA‑LIGBT)在导通过程中会出现的负阻效应。
本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P体区2，介于反型所形成的高电阻，阳极P+中的空穴可以更快的注入漂移区，从而消除负阻效应。对比普通SA‑LIGBT，本发明在关断速度不变同时击穿电压提升的情况下，消除了阳极短路LIGBT(SA‑LIGBT)在导通过程中会出现的负阻效应。
