技术详细介绍
本发明属于有机电子器件技术领域，提供一种基于掺杂噻吩异靛的有机薄膜场效应晶体管，所述有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、活性层和绝缘层，栅电极与源电极、漏电极之间通过绝缘层绝缘，源电极与漏电极相互不接触并以活性层为导电通道，其特征在于，采用有机聚合物掺杂的有机半导体材料作为有机薄膜器件晶体管的活性层；所述作为掺杂的聚合物为聚噻吩衍生物，所述有机半导体材料是一种含有噻吩异靛结构的有机小分子材料。本发明有效改善了有机薄膜晶体管的可控性，提高了器件性能，且工艺简单，成本降低，适于大规模生产。所述有机小分子材料具有如下结构通式：