[00265925]一种基于Cr2O3模板低温制备Zr掺杂α‑Al2O3纳米多层阻氚涂层工艺
交易价格:
面议
所属行业:
纳米及超细材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610901542.5
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
四川大学
进入空间
所在地:四川成都市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种基于Cr2O3模板低温制备Zr掺杂α‑Al2O3纳米多层阻氚涂层工艺。本发明采用射频反应磁控溅射技术,先制备一层Cr2O3作为模板层,随后利用模板效应再制备一层Zr掺杂α‑Al2O3,重复上述步骤多步沉积获得Zr掺杂α‑Al2O3/Cr2O3纳米多层阻氚涂层预抽真空度<7.0×10‑4
本发明公开了一种基于Cr2O3模板低温制备Zr掺杂α‑Al2O3纳米多层阻氚涂层工艺。本发明采用射频反应磁控溅射技术,先制备一层Cr2O3作为模板层,随后利用模板效应再制备一层Zr掺杂α‑Al2O3,重复上述步骤多步沉积获得Zr掺杂α‑Al2O3/Cr2O3纳米多层阻氚涂层预抽真空度<7.0×10‑4