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[00265859]一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法

交易价格： 面议

所属行业： 纳米及超细材料

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201611072696.4

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：四川大学

进入空间

所在地：四川成都市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种用于大面积纳米缝隙阵列的制作方法，涉及微纳加工领域。将角度沉积的阴影效应与基底旋转结合起来，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度参数相互配合，制作新型且大面积的纳米缝隙阵列结构。并且利用本发明所公开的技术，以光栅为沉积掩模基底，已经制作出大面积周期性纳米缝隙阵列结构。

[00265859]一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法

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