[00263404]一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他仪器仪表
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810023121.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
苏州大学
进入空间
所在地：江苏苏州市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中，采用了两步法，首先进行氩离子束刻蚀，对光刻胶光栅掩模进行形貌修正，再采用三氟甲烷进行刻蚀，从而可以获得较小占宽比的光栅；通过对氩离子束刻蚀的时间控制，实现对光栅占宽比的控制，方法简便、易于实现，是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
摘要：本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中，采用了两步法，首先进行氩离子束刻蚀，对光刻胶光栅掩模进行形貌修正，再采用三氟甲烷进行刻蚀，从而可以获得较小占宽比的光栅；通过对氩离子束刻蚀的时间控制，实现对光栅占宽比的控制，方法简便、易于实现，是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
