[00261555]一种组分可控的碳化硼薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410712152.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
武汉理工大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种在物理气相沉积方法中控制BxC薄膜成分以及化学计量的脉冲激光沉积方法。本发明在脉冲激光沉积方法的基础上，通过使用石墨-硼二元靶材制备得到薄膜组成与化学计量比均可控的Bx1C薄膜。本发明方法克服了传统沉积技术中，由于靶材成分单一以及原子迁移性能力不同容易导致硼元素缺少，仅能制备成分结构单一的低硼碳比薄膜的不足，通过设计二元靶材的硼碳比，控制靶基距、沉积温度、激光能量等沉积条件，得到一种高沉积速率的碳化硼薄膜制备方法，该方法制备得到的碳化硼薄膜组分可控、薄膜质量好、具有高B/C比且该比例连续可调。
摘要：本发明涉及一种在物理气相沉积方法中控制BxC薄膜成分以及化学计量的脉冲激光沉积方法。本发明在脉冲激光沉积方法的基础上，通过使用石墨-硼二元靶材制备得到薄膜组成与化学计量比均可控的Bx1C薄膜。本发明方法克服了传统沉积技术中，由于靶材成分单一以及原子迁移性能力不同容易导致硼元素缺少，仅能制备成分结构单一的低硼碳比薄膜的不足，通过设计二元靶材的硼碳比，控制靶基距、沉积温度、激光能量等沉积条件，得到一种高沉积速率的碳化硼薄膜制备方法，该方法制备得到的碳化硼薄膜组分可控、薄膜质量好、具有高B/C比且该比例连续可调。
