[00261395]一种基于纳米压印的图形转移制备光栅的方法
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610043749.3
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
武汉理工大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明属于光学薄膜微纳结构制备技术领域。一种基于纳米压印的图形转移制备光栅的方法，其特征在于包括有以下步骤：1）基片上聚合物的涂布；2）压模模板的制备；3）压印过程：把涂敷聚合物的基片及压模模板安装到压印机的两个压印盘上，加热到聚合物玻璃态相变点温度附近时，加压，使聚合物充满压模图案，然后进行冷却；当温度降到相变点附近时，将压模模板与基片分开，得到聚合物掩模槽型；4）微纳图形转移：直接利用电子束蒸发法将所需光栅脊材料填充进聚合物掩模槽型中，利用光控膜厚技术监控沉积厚度，再用有机溶剂溶解聚合物花纹，形成与掩模互补的光栅结构，得到基于纳米压印的图形转移制备光栅。该方法制备工艺简单，生产成本低。
摘要：本发明属于光学薄膜微纳结构制备技术领域。一种基于纳米压印的图形转移制备光栅的方法，其特征在于包括有以下步骤：1）基片上聚合物的涂布；2）压模模板的制备；3）压印过程：把涂敷聚合物的基片及压模模板安装到压印机的两个压印盘上，加热到聚合物玻璃态相变点温度附近时，加压，使聚合物充满压模图案，然后进行冷却；当温度降到相变点附近时，将压模模板与基片分开，得到聚合物掩模槽型；4）微纳图形转移：直接利用电子束蒸发法将所需光栅脊材料填充进聚合物掩模槽型中，利用光控膜厚技术监控沉积厚度，再用有机溶剂溶解聚合物花纹，形成与掩模互补的光栅结构，得到基于纳米压印的图形转移制备光栅。该方法制备工艺简单，生产成本低。
