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[00260462]一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610541957.6

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 西安交通大学

进入空间

所在地:陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法,包括作为基底的平面ITO导电玻璃,化学刻蚀的ZnO纳米管模板,在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。本发明首先在ITO导电玻璃上水浴生长ZnO纳米棒;其次用NaOH溶液溶解ZnO纳米棒的中心部位,形成ZnO纳米管;以上述ZnO纳米管为模板,采用循环伏安法在其空心结构中电沉积Ag纳米线;最后用高浓度的NaOH溶液溶解ZnO纳米管模板。该方法以ZnO纳米管取代常规的AAO模板,不仅可在任何形状的导电基底上电沉积Ag纳米线,也可通过调节ZnO纳米管的孔径和深度等参数制备尺寸和形貌可控的Pt和Cu等金属纳米阵列结构。
本发明公开了一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法,包括作为基底的平面ITO导电玻璃,化学刻蚀的ZnO纳米管模板,在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。本发明首先在ITO导电玻璃上水浴生长ZnO纳米棒;其次用NaOH溶液溶解ZnO纳米棒的中心部位,形成ZnO纳米管;以上述ZnO纳米管为模板,采用循环伏安法在其空心结构中电沉积Ag纳米线;最后用高浓度的NaOH溶液溶解ZnO纳米管模板。该方法以ZnO纳米管取代常规的AAO模板,不仅可在任何形状的导电基底上电沉积Ag纳米线,也可通过调节ZnO纳米管的孔径和深度等参数制备尺寸和形貌可控的Pt和Cu等金属纳米阵列结构。

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