[00260460]一种低维氮化硅纳米材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710477693.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安交通大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种低维氮化硅纳米材料的制备方法，包括以下步骤1)将SiO粉末置于坩埚底部，分别将纳米碳粉、碳纳米管、碳纤维等材料置于坩埚中部，再将坩埚放在多功能烧结炉中，抽真空至真空度低于10‑3Pa；2)向多功能烧结炉内充入高纯氮气，气氛压力为0.225～0.5MPa；3)多功能烧结炉升温至1650℃～1850℃，保温1～3小时进行气固反应，得到尺寸形貌可控的Si3N4纳米颗粒、纳米管、纳米纤维等低维纳米材料。该制备方法工艺简便，成本低廉，不产生污染环境的气体。本发明获得的低维氮化硅纳米材料可以广泛应用于纳米场发射器件、纳米光电子器件和纳米复合材料等领域。
本发明公开了一种低维氮化硅纳米材料的制备方法，包括以下步骤1)将SiO粉末置于坩埚底部，分别将纳米碳粉、碳纳米管、碳纤维等材料置于坩埚中部，再将坩埚放在多功能烧结炉中，抽真空至真空度低于10‑3Pa；2)向多功能烧结炉内充入高纯氮气，气氛压力为0.225～0.5MPa；3)多功能烧结炉升温至1650℃～1850℃，保温1～3小时进行气固反应，得到尺寸形貌可控的Si3N4纳米颗粒、纳米管、纳米纤维等低维纳米材料。该制备方法工艺简便，成本低廉，不产生污染环境的气体。本发明获得的低维氮化硅纳米材料可以广泛应用于纳米场发射器件、纳米光电子器件和纳米复合材料等领域。
