[00257695]一种双环硅通孔结构及其制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410468354.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
西安理工大学
进入空间
所在地：陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种双环硅通孔结构及其制造方法。一种双环硅通孔结构，从外向内依次为半导体衬体、第一介质层、第一金属环、第二介质层、第二金属环和介质芯层。一种双环硅通孔的制造方法，包括(1)在半导体衬底上刻蚀通孔；(2)在通孔的内表面制备第一介质层；(3)在第一介质层的表面通制备第一金属环；(4)在第一金属环的表面制备第二介质层；(5)在第二介质层的表面制备第二金属环；(6)在第二金属环的表面制备介质芯层，直至完全填满为止；(7)在半导体衬底和硅通孔上表面进行化学机械抛光。采用外层接地第一金属环实现屏蔽噪声信号的作用，达到较高高频信号完整性；采用内侧第二金属环降低了热应力，提高了热机械性能。
摘要：本发明涉及一种双环硅通孔结构及其制造方法。一种双环硅通孔结构，从外向内依次为半导体衬体、第一介质层、第一金属环、第二介质层、第二金属环和介质芯层。一种双环硅通孔的制造方法，包括(1)在半导体衬底上刻蚀通孔；(2)在通孔的内表面制备第一介质层；(3)在第一介质层的表面通制备第一金属环；(4)在第一金属环的表面制备第二介质层；(5)在第二介质层的表面制备第二金属环；(6)在第二金属环的表面制备介质芯层，直至完全填满为止；(7)在半导体衬底和硅通孔上表面进行化学机械抛光。采用外层接地第一金属环实现屏蔽噪声信号的作用，达到较高高频信号完整性；采用内侧第二金属环降低了热应力，提高了热机械性能。
