[00256655]一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710511158.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
湘潭大学
进入空间
所在地：湖南湘潭市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法，包括如下步骤对SRAM试验器件加载低于正常电压的偏置电压；对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据；以及根据试验数据计算偏置电压下对应的单粒子翻转截面。本发明通过使用X射线进行单粒子软错误的试验方法证实了纳米级器件在X射线辐照过程中，所产生的次级电子，可以导致器件发生翻转，相比于以前的研究，对纳米级器件的单粒子效应的研究，增加了一种地面模拟源，相比于其它辐射源，具有剂量率控制准确、辐照易于屏蔽、无辐射残留，机时容易获得的优点。
摘要：本发明公开了一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法，包括如下步骤对SRAM试验器件加载低于正常电压的偏置电压；对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据；以及根据试验数据计算偏置电压下对应的单粒子翻转截面。本发明通过使用X射线进行单粒子软错误的试验方法证实了纳米级器件在X射线辐照过程中，所产生的次级电子，可以导致器件发生翻转，相比于以前的研究，对纳米级器件的单粒子效应的研究，增加了一种地面模拟源，相比于其它辐射源，具有剂量率控制准确、辐照易于屏蔽、无辐射残留，机时容易获得的优点。
