[00254592]复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
电池充电器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510747128.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
科小易
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法，所述复合纳米异质结薄膜材料制备方法中的复合纳米异质结薄膜材料包括基底、液相生长在基底上的 n 型ZnO 纳米棒阵列薄膜和采用连续离子沉积法在ZnO 纳米棒阵列间隙中填充ZnS 薄膜，是采用ZnS薄膜填充到空隙，再用电化学沉积法把Cu2O沉积在ZnO或ZnS 纳米棒表面。本发明在 ZnO 纳米棒阵列空隙中填充ZnS，再用电化学沉积技术将Cu2O 沉积在ZnO或ZnS 纳米棒表面形成ZnO/ZnS /Cu2O 复合异质结薄膜材料及其制备太阳电池的方法，采用本方法制得的电池成本低，制备简单，电池性能好。
本发明公开了一种复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法，所述复合纳米异质结薄膜材料制备方法中的复合纳米异质结薄膜材料包括基底、液相生长在基底上的 n 型ZnO 纳米棒阵列薄膜和采用连续离子沉积法在ZnO 纳米棒阵列间隙中填充ZnS 薄膜，是采用ZnS薄膜填充到空隙，再用电化学沉积法把Cu2O沉积在ZnO或ZnS 纳米棒表面。本发明在 ZnO 纳米棒阵列空隙中填充ZnS，再用电化学沉积技术将Cu2O 沉积在ZnO或ZnS 纳米棒表面形成ZnO/ZnS /Cu2O 复合异质结薄膜材料及其制备太阳电池的方法，采用本方法制得的电池成本低，制备简单，电池性能好。
