[00251651]一种高荧光量子产率N,S掺杂碳点的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
纳米及超细材料
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710238018.9
交易方式:
技术转让
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技术入股
联系人:
科小易
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所在地:福建厦门市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供一种高荧光量子产率N,S掺杂碳点的制备方法,属于荧光纳米材料领域。该制备方法具体步骤为:室温下,将质量比为1:1~4的间苯二胺与巯基丁二酸溶于超纯水中,搅拌均匀后得到混合溶液;将混合溶液放置于高压反应釜内,在120~180℃条件下反应2‑12h,反应后自然冷却至室温,样品采用0.5‑10K的透析袋透析12‑36h,冷冻干燥后固体为高荧光量子产率N,S掺杂碳点。本发明得到的碳点荧光强度高、稳定性较强,量子产率高达66.84%。
本发明提供一种高荧光量子产率N,S掺杂碳点的制备方法,属于荧光纳米材料领域。该制备方法具体步骤为:室温下,将质量比为1:1~4的间苯二胺与巯基丁二酸溶于超纯水中,搅拌均匀后得到混合溶液;将混合溶液放置于高压反应釜内,在120~180℃条件下反应2‑12h,反应后自然冷却至室温,样品采用0.5‑10K的透析袋透析12‑36h,冷冻干燥后固体为高荧光量子产率N,S掺杂碳点。本发明得到的碳点荧光强度高、稳定性较强,量子产率高达66.84%。