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[00249363]一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310594619.5

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 科小易

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所在地:福建厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明涉及一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法,该方法制备的多晶纳米盘包含无取向优势的碲化铋多晶纳米盘和具有取向优势的层片状碲化铋多晶纳米盘两种。其特点是,包括如下步骤:(1)将Bi(NO3)3·5H2O和Te粉加入到DMF溶剂中,并搅拌至完全溶解;(2)滴加NaOH溶液;(3)加入助剂;(4)在加入还原剂NaBH4;(5)将得到的混合液转移至密闭容器中,进行溶剂热反应;(6)将所得产物用蒸馏水和无水乙醇洗涤数次,然后在低于100℃的温度下真空干燥。本发明具有以下显著优点:本发明所涉及反应在密闭环境中进行,过程中无其他杂质介入,经XRD测定无其他杂质峰出现,纯度较高,且形貌均一。
本发明涉及一种溶剂热合成碲化铋多晶纳米盘的方法,该方法制备的多晶纳米盘包含无取向优势的碲化铋多晶纳米盘和具有取向优势的层片状碲化铋多晶纳米盘两种。其特点是,包括如下步骤:(1)将Bi(NO3)3·5H2O和Te粉加入到DMF溶剂中,并搅拌至完全溶解;(2)滴加NaOH溶液;(3)加入助剂;(4)在加入还原剂NaBH4;(5)将得到的混合液转移至密闭容器中,进行溶剂热反应;(6)将所得产物用蒸馏水和无水乙醇洗涤数次,然后在低于100℃的温度下真空干燥。本发明具有以下显著优点:本发明所涉及反应在密闭环境中进行,过程中无其他杂质介入,经XRD测定无其他杂质峰出现,纯度较高,且形貌均一。

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