技术详细介绍
本发明提供了一种基于宽光谱响应CuPc/F4‑TCNQ结构的光电探测器及其制备方法，所述的光电探测器依次由透光衬底、导电薄膜电极层、CuPc薄膜层、F4‑TCNQ薄膜层、金属薄膜电极层复合组成；本发明方法制得的光电探测器件光谱响应波段范围大，无需制冷、无需加偏压即可响应从紫外波段一直到近红外波段；零偏压下的最大探测率可达1.5×109Jones；并且制作设备简单，操作方便，制作成本低；制得的光电器件具有良好重复性和稳定性。
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