[00243673]一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他仪器仪表
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710719138.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
浙江海洋学院海洋水产研究所
进入空间
所在地：浙江舟山市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用，属于微纳加工技术领域，所述抗蚀剂包含组分A和组分B；按质量份数计，所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份，双光子光敏剂0.1‑5份，光引发剂0.1‑5份，助剂1‑5份；所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95％的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应，优异的介电性及热稳定性，可耐350℃以上高温，可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀；500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy，该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工，满足围栅纳米线器件制备过程中，双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
摘要：本发明涉及一类用于双光子光刻的抗蚀剂及其应用，属于微纳加工技术领域，所述抗蚀剂包含组分A和组分B；按质量份数计，所述组分A包含笼型倍半硅氧烷化合物100份，双光子光敏剂0.1‑5份，光引发剂0.1‑5份，助剂1‑5份；所述组分B为基于所述组分A总质量的5‑95％的溶剂。该抗蚀剂具有非线性光学效应，优异的介电性及热稳定性，可耐350℃以上高温，可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀；500℃以上高温烧结后转化为类二氧化硅结构CxSiOy，该类二氧化硅结构CxSiOy也可以通过HF溶液进行湿法刻蚀或CHF3、氧气等离子干法刻蚀。本发明中的抗蚀剂可很好地用于替代栅加工，满足围栅纳米线器件制备过程中，双光子加工技术和半导体工艺对于替代栅抗蚀剂的物化性能要求。
