[00230283]碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410466558.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院深圳先进技术研究院
进入空间
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本申请公开了一种碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极，包括将石墨烯、作为催化剂的金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中，制得带正电荷的石墨烯电泳溶液；使用导电基板作为阴极，分别将阳极和所述阴极置于所述石墨烯电泳溶液中，外加电场，制得沉积在所述导电基板上的石墨烯层状结构；将沉积在所述导电基板上的所述石墨烯层状结构放入气相沉积炉内生长碳纳米管。在本申请由于使用电泳沉积法制得沉积在导电基板上的石墨烯层状结构，形成很多谷状结构，碳纳米管分布在这些谷状地形时，提高了阴极的可靠性；石墨烯作为良好的导电连接体，插入碳纳米管网络结构中，提高了电子在碳纳米管网络中的传导性能。
本申请公开了一种碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极，包括将石墨烯、作为催化剂的金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中，制得带正电荷的石墨烯电泳溶液；使用导电基板作为阴极，分别将阳极和所述阴极置于所述石墨烯电泳溶液中，外加电场，制得沉积在所述导电基板上的石墨烯层状结构；将沉积在所述导电基板上的所述石墨烯层状结构放入气相沉积炉内生长碳纳米管。在本申请由于使用电泳沉积法制得沉积在导电基板上的石墨烯层状结构，形成很多谷状结构，碳纳米管分布在这些谷状地形时，提高了阴极的可靠性；石墨烯作为良好的导电连接体，插入碳纳米管网络结构中，提高了电子在碳纳米管网络中的传导性能。
