[00230065]电容式超声传感器芯片及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
硬件/数码
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201210132866.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院深圳先进技术研究院
进入空间
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种电容式超声传感器芯片，其包括表面设有第一区域和第二区域的掺杂硅衬底；所述第一区域具有金属导电层延伸至第二区域的集成电路；所述位于第二区域的金属导电层上覆盖有附加膜，所述附加膜上覆盖有可导电的振动膜，所述附加膜中具有连接振动膜的接触通孔，所述附加膜和振动膜之间形成有空腔。上述电容式超声传感器芯片中，系在CMOS标准制造工艺的集成电路的金属导电层上覆盖附加膜、牺牲层及可导电的振动膜，最终制成传感器微单元，不改变现有CMOS工艺，兼容性好。此外，还涉及一种电容式超声传感器芯片的制作方法。
本发明涉及一种电容式超声传感器芯片，其包括表面设有第一区域和第二区域的掺杂硅衬底；所述第一区域具有金属导电层延伸至第二区域的集成电路；所述位于第二区域的金属导电层上覆盖有附加膜，所述附加膜上覆盖有可导电的振动膜，所述附加膜中具有连接振动膜的接触通孔，所述附加膜和振动膜之间形成有空腔。上述电容式超声传感器芯片中，系在CMOS标准制造工艺的集成电路的金属导电层上覆盖附加膜、牺牲层及可导电的振动膜，最终制成传感器微单元，不改变现有CMOS工艺，兼容性好。此外，还涉及一种电容式超声传感器芯片的制作方法。
