[00229917]X射线探测器及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610242355.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种X射线探测器及其制作方法。所述探测器为垂直型结构，包括自支撑氮化镓衬底，该自支撑氮化镓衬底的镓面和氮极性面分别形成有电极结构，位于镓面的所述电极结构的边缘形成有钝化层；并且所述自支撑氮化镓衬底的电阻率大于108Ωcm，和/或，所述自支撑氮化镓衬底的位错密度小于106cm‑2，和/或，所述自支撑氮化镓衬底的厚度大于350微米。本发明使用电阻率在108Ωcm以上的氮化镓衬底，使得漏电流达到一个较低的水平；使用垂直型结构，使得器件能探测更高强度的X射线，避免探测器达到饱和；使用边缘钝化层及场板，使得能耐加更大的偏压，提高灵敏度，防止器件击穿；以及使用350微米以上厚度的衬底，使得对高能量的X射线也有较好的响应。
摘要：本发明公开了一种X射线探测器及其制作方法。所述探测器为垂直型结构，包括自支撑氮化镓衬底，该自支撑氮化镓衬底的镓面和氮极性面分别形成有电极结构，位于镓面的所述电极结构的边缘形成有钝化层；并且所述自支撑氮化镓衬底的电阻率大于108Ωcm，和/或，所述自支撑氮化镓衬底的位错密度小于106cm‑2，和/或，所述自支撑氮化镓衬底的厚度大于350微米。本发明使用电阻率在108Ωcm以上的氮化镓衬底，使得漏电流达到一个较低的水平；使用垂直型结构，使得器件能探测更高强度的X射线，避免探测器达到饱和；使用边缘钝化层及场板，使得能耐加更大的偏压，提高灵敏度，防止器件击穿；以及使用350微米以上厚度的衬底，使得对高能量的X射线也有较好的响应。
