[00229915]新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201210367273.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏极以及异质结构，源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接，其中异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体；形成于第一半导体表面的第二半导体，其第二半导体表面设有主栅，主栅位于源、漏极之间靠近源极一侧，并与第二半导体形成金属-半导体接触；介质层，其形成于第二半导体和主栅表面，并设置在源、漏极之间，且介质层表面设有顶栅，顶栅对主栅形成全覆盖，且至少顶栅的一侧边缘部向漏或源极有一定延伸；以及，用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路。本发明可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制，还可将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于电路中。
摘要：一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏极以及异质结构，源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接，其中异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体；形成于第一半导体表面的第二半导体，其第二半导体表面设有主栅，主栅位于源、漏极之间靠近源极一侧，并与第二半导体形成金属-半导体接触；介质层，其形成于第二半导体和主栅表面，并设置在源、漏极之间，且介质层表面设有顶栅，顶栅对主栅形成全覆盖，且至少顶栅的一侧边缘部向漏或源极有一定延伸；以及，用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路。本发明可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制，还可将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于电路中。
