[00229910]GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510109088.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池；D、在GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节第二过渡层Ga1-xInxP中铟的含量使其晶格常数与GaAs底电池的晶格常数相匹配。该制备方法以GaP/Ga1-xInxP为过渡层，通过控制铟源流量从而使得第二过渡层Ga1-xInxP的晶格常数过渡至GaAs底电池的晶格常数，使之晶格常数相匹配，从而达到生长制备GaInP/GaAs双结太阳能电池的目的。
摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池；D、在GaAs底电池上生长GaInP顶电池；其中，通过调节第二过渡层Ga1-xInxP中铟的含量使其晶格常数与GaAs底电池的晶格常数相匹配。该制备方法以GaP/Ga1-xInxP为过渡层，通过控制铟源流量从而使得第二过渡层Ga1-xInxP的晶格常数过渡至GaAs底电池的晶格常数，使之晶格常数相匹配，从而达到生长制备GaInP/GaAs双结太阳能电池的目的。
