技术详细介绍
合成了一系列在侧链挂有共轭导电基团的聚合物材料，研究发现在通电注入电荷时可使聚合物中共轭导电基团出现一定程度 "肩并肩"向"面碰面"的内部构象转变，并形成不同结构的导电通道，从而实现了电学双稳态。通过这一原理，只要调节聚合物组成、共轭基团种类及侧链的刚柔度，就可实现只读型 （WORM） 、易失型 （volatile） 、闪存型 （flash） 等类型的聚合物电存储器件。
合成了一系列在侧链挂有共轭导电基团的聚合物材料，研究发现在通电注入电荷时可使聚合物中共轭导电基团出现一定程度 "肩并肩"向"面碰面"的内部构象转变，并形成不同结构的导电通道，从而实现了电学双稳态。通过这一原理，只要调节聚合物组成、共轭基团种类及侧链的刚柔度，就可实现只读型 （WORM） 、易失型 （volatile） 、闪存型 （flash） 等类型的聚合物电存储器件。
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