[00223109]一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201520423424.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中山大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和分别设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的两个金属电极，两个金属电极分别作为源极S和漏极D，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G的金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型的LaAlO3薄膜具备了闪存器件结构中的绝缘层和浮栅层的功能，无需采用存储电荷的浮栅层，结构更简单，器件制备工艺会更简化，且可大幅度提高擦写速度。
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性无浮栅晶体场效应管存储器。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和分别设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的两个金属电极，两个金属电极分别作为源极S和漏极D，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G的金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型的LaAlO3薄膜具备了闪存器件结构中的绝缘层和浮栅层的功能，无需采用存储电荷的浮栅层，结构更简单，器件制备工艺会更简化，且可大幅度提高擦写速度。
