技术详细介绍
项目简介：
反应磁控溅射因为沉积速度慢，工艺稳定性差受到应用限制。本项目开发出一种新型的溅射阴极，用于反应磁控溅射工艺，具有沉积速度快，工艺稳定性良好。
项目核心创新点：
从溅射阴极硬件和软件两方面进行优化设计。硬件优化包括：
（1）磁场：磁场模拟和优化设计
（2）机电系统：机械结构，电路系统优化设计
（3）冷却系统：水冷系统设计，确保部件稳定可靠。
（4）气路系统：真空镀膜气氛模拟和优化设计。
软件优化包括：
（1）反应溅射控制系统：通过反应溅射控制器件，根据精密的控制程序，确保工艺稳定。
（2）镀膜工艺：对镀膜工艺各参数进一步优化，镀膜性能和沉积速度达到最优化。
通过对软、硬件进行优化，对我公司圆柱溅射阴极进行“靶中毒”曲线试验，并和传统阴极进行对比，如图1.2所示。下图是Si靶反应溅射“靶中毒”曲线，其中横坐标是反应气体O2流量，纵坐标是Si靶电压。蓝色曲线是我公司溅射阴极“靶中毒”曲线，和行业其它阴极相比，该曲线非常平滑，且靶电压较高。
项目详细用途：
该溅射阴极非常适合反应溅射镀膜工艺，可以沉积各种氧化物和氮化物薄膜，应用行业包括：
（1）太阳能镀膜
（2）光学镀膜
（3）装饰镀膜
（4）刀具、模具镀膜
预期效益说明：
这种溅射阴极由于突出的性能和广泛的市场应用，每年可以会有数千万的利润获益。