技术详细介绍
脉冲技术-强电流半导体电流断路器-SOS-二极管
项目简介
实验室简介：脉冲技术实验室是新科技方向 -- 超功率纳秒半导体电子仪器的奠基者。1992年发现半导体超密电流纳秒中断-SOS-效应，是研究的起点。（来自英语Semiconductor Opening Switch）。基础工作包括研究在电流超高密度时在半导体中电子空穴等离子体动态过程，并且确定电流在纳秒和亚纳秒时间波段中断过程规律性。
基础研究结果是在实验室研制的独有的超功率半导体仪器和强电流纳秒脉冲发电机的物理-技术原理。借助此成果，发电机最重要的性能，诸如脉冲功率，输出电压，电流，负荷电压、电流、功率增长速度，同早先已知的半导体设备相比，提高到几十和几百倍。其中，在纳秒半导体技术设备上，首次开发与脉冲功率大瓦特电平结合的兆伏级电压波段。
该实验室研制强电流半导体电流断路器-SOS-二极管。基本技术参数：工作电压 - 100到400千瓦，所中断电流 - 4到20千安，电流中断时间 - 15到0。5纳秒。