技术详细介绍
宽禁带功率半导体封装集成与应用技术涵盖了从底层半导体器件封装到顶层系统集成，促进了电力电子变换器的高频化、小型化、高效化、高功率密度与高可靠性。该技术有效解决了器件与变换器高功率密度集成所面临的高电热应力问题，满足新能源汽车、数据中心、智能电网、航空航天、武器装备等领域对电能变换装备功率密度、效率与可靠性日益剧增的需求。
团队技术创新主要集中在新型封装结构、多芯片电热均衡及电能变换装置高度集成化等方面，突破了现有多芯片功率器件封装集成关键技术瓶颈，可应用于新能 源汽车驱动器电热综合分析与优化中，解决驱动器大功率半导体器件内部多芯片动静态不均流、高频振荡等问题；应用于航空航天电源系统中，显著提高了电源功率密度与严苛条件下的可靠性；应用于配网大功率电能变换器中，大幅降低了装置体积，提高了电能变换效率。该技术还能够实现硅器件无法完成的极宽温度范围内工作的功能，从而开辟出很多全新的极端环境下的供电方案，未来有望应用于深空探测、石油钻探等对器件工作温度与可靠性等方面有着极高要求的前沿领域。