[01829468]高击穿电压场效应晶体管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种高击穿电压场效应晶体管及其制作方法,其自下而上包括衬底（1）、Ga2O3外延层（2）和低掺杂n型Ga2O3薄膜（3）,薄膜上设有高掺杂n型硅离子注入区（4）和绝缘栅介质（7）,离子注入区上设有源电极（5）和漏电极（6）,绝缘栅介质上设有300～500nm厚的有机绝缘介质（8）,有机绝缘介质由P（VDF-TrFE）、Ag纳米颗粒掺杂P（VDF-TrFE）、ZnS纳米颗粒掺杂P（VDF-TrFE）和CCTO纳米颗粒掺杂P（VDF-TrFE）构成,且设有长度为1～3μm的栅场板（9）,该栅场板上设置有栅电极。本发明击穿电压高,可用于作为功率器件和高压开关器件。