[01826924]一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
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技术详细介绍
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构,属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短,使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离,间隔部分以P型衬底代替,相当于引入P型衬底的附加电荷,使得原来的P-well区与N型漂移区构成的pn结处的电场峰值降低,同时在P型衬底与N型漂移区构成的pn结处引入新的电场峰值,而且增大了曲率终端的曲率半径,避免电力线的过于集中,提高器件的击穿电压。其中N型漂移区表面还可与表面RESURF结构或超结结构相结合。本发明可以减小器件曲率终端的宽度,节约器件版图面积,并且与CMOS工艺相兼容,利用本发明可制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件。