[01816794]AlGaN极化紫外光电探测器及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开一种基于AlGaN材料的紫外光电探测器结构及其制作方法,主要解决现有技术对P型掺杂材料的依赖,该探测器自下而上包括：衬底（1）、过渡层（2）、GaN缓冲层（3）、铝组分渐变AlGaN层（4）和有源区（5）,铝组分渐变AlGaN层（4）分为上、下两层,下层厚度为20～30nm,铝组分从0％增加到80％～100％,上层厚度为10～20nm,铝组分为0％～80％;铝组分渐变AlGaN层（4）左上方被有源区（5）覆盖,右上方淀积有底部欧姆接触（7）,该欧姆接触与有源区之间设有间隙（8）;有源区（5）由铝组分为0％～80％的AlGaN材料构成,厚度为50～100nm,有源区表面淀积有表面欧姆接触电极（6）。本发明自动工作在光伏模式,高频特性好,暗电流小,可用于226～363nm紫外波段的光信号探测。