[01810516]异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明涉及异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C-SiC漏区、3C-SiC源区、3C-SiC沟道区、肖特基接触栅电极、4H-SiC衬底、漏极、源极、SiN隔离层;3C-SiC漏区、3C-SiC源区、3C-SiC沟道区位于4H-SiC衬底上;源极位于3C-SiC源区上,肖特基接触栅电极位于3C-SiC沟道区上,漏极位于3C-SiC漏区上;SiN隔离层位于源极和肖特基接触栅电极,以及肖特基接触栅电极和漏极之间。本发明异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷密度,从而优化室温下漏区和源区的自旋极化率。