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[00156166]一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200510130766.2

交易方式： 技术转让

联系人：中国科学院大连化学物理研究所

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所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

　　一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术，利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜；CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜；CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法，制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜，和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池，较大幅度的降低了光伏电池的制备成本，为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。

QQ截图20141222164918.png

[00156166]一种用于光伏电池的Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜的制备方法

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