技术详细介绍
一种多晶硅生产过程中三氯氢硅还原循环氢气提纯氢气的方法。采用金属钯复合膜氢气纯化器对三氯氢硅还原循环氢气中的各种杂质进行拦截，使得氢气的纯度提高1-3个数量级，各种杂质浓度降低1-3个数量级。当循环氢气中氯化氢HCl含量超过3ppm时，需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅，不仅可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量，而且可以明显降低生产过程的氢耗、能耗和减少污染排放。
一种多晶硅生产过程中三氯氢硅还原循环氢气提纯氢气的方法。采用金属钯复合膜氢气纯化器对三氯氢硅还原循环氢气中的各种杂质进行拦截，使得氢气的纯度提高1-3个数量级，各种杂质浓度降低1-3个数量级。当循环氢气中氯化氢HCl含量超过3ppm时，需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅，不仅可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量，而且可以明显降低生产过程的氢耗、能耗和减少污染排放。
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