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[00155188]用于制造碳化硅的方法

交易价格: 面议

所属行业: 基础化学

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN200980128538.8

交易方式: 技术转让

联系人: 中国科学院大连化学物理研究所

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所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  制造多孔碳化硅的方法,包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合,并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物,其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。

  制造多孔碳化硅的方法,包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合,并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物,其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。

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