技术详细介绍
一、项目特点和技术指标
Si基MEMS红外光源具有很多优点：①光源具有体积小、能耗低和寿命长的特点。根据不同的使用目的和要求可封装成标准的单个和阵列器件，即插即用，方便可靠；②光源可在连续工作模式和脉冲模式下工作，高调制特性可实现编码调制的隐蔽工作方式，因此在军事目标敌我识别上有较大应用前景；③光源可实现低成本大批量的制造。使用了特殊的晶片以简化红外光源的光学衬底的生长工艺, 可与现有的COMS工艺相兼容，生产成本低，提高了产业化的可能；④该光源通过技术扩展可实现窄带发射和波长可调谐的特点，可用来实现特种气体探测芯片的制造；⑤绿色、环保、无污染光源。
二、技术成熟程度
我们从2006年就开始Si基MEMS红外光源的制备研究，现正在申请Si基MEMS红外光源制备方法和相关的4项中国发明专利。目前Si基MEMS红外光源的制备工艺已很成熟，已进行了多次中试试验，性能达到或优于国外同类产品的技术指标。使用Al电极，器件最高温度可以达到850 C，在600 C时寿命不低于5年，可靠性测试表明器件满足使用要求。
三、应用范围
可用于大气环境监测（有毒气体、爆炸气体、汽车尾气等）、工矿企业生产安全、食品和药品生产安全、分光光度计、防盗报警、红外照明和显示、目标识别和跟踪、无人值守传感网络等。
四、投产条件与预期经济效益
Si基MEMS红外光源的制备与传统的半导体微加工制备工艺完全兼容。在超净（100级、1000级和万级）的环境条件下，需要LPCVD或PECVD薄膜生长设备、紫外光刻设备、氧化扩散设备、薄膜溅射设备、清洗腐蚀等。除光刻设备需要进口以外，其它设备国内均有生产。厦门大学萨本栋微机电中心拥有国内先进的MEMS微加工生产设备和测试设备，并已建立了相关的MEMS标准化生产工艺。在该中心，我们成功地制造了Si基MEMS红外光源。该中心集MEMS器件研发、实验和代理加工一体化面向全世界开放。
Si基MEMS红外光源目前在国内尚没有产业化，同类产品主要依靠进口。国外同类产品（如pulsIR、reflectIR、MIRL17－900、EMIRS200等）单芯片器件国内销售价格一般在700 1000元不等。我们生产的红外光源单芯片成本不超过50元，利润空间巨大。目前军民两用市场以及未来不可预见的特种应用市场一旦开发，需求量十分巨大。
五、合作方式
技术转让，产品订购、风险投资，合资入股