[01427744]应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种应用于太阳能电池的低阻硫化锡薄膜的制备方法，主要采用真空蒸发气相沉积方法来制备薄膜，属真空蒸发物理气相沉积工艺技术领域。本发明的特点是利用掺加杂质和热处理的办法来降低硫化锡薄膜的电阻率。本发明通过试验表明：当在SnS中掺杂0.2wt％的Sb2O3时，真空蒸发沉积所制得的薄膜在氢气氛围中再进行热处理，热处理的温度为400℃；热处理的时间为3小时；最终制得的SnS薄膜的电阻率为6.4Ω·cm，该SnS薄膜适用于作为太阳能电池的吸收层材料。200710045848.6