[01424419]三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种三维量子阱CMOS集成器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维集成器件的两个有源层。其中,下层有源层采用SSOI衬底,利用SSOI衬底中应变Si材料电子迁移率高的特点,制作应变SinMOSFET;上层有源层采用SSGOI衬底,利用SSGOI衬底中应变SiGe材料空穴迁移率高的特点,制作应变SiGe量子阱沟道pMOSFET;上下有源层之间采用键合工艺,形成三维有源层结构,并通过互连线连接,构成导电沟道为65～130nm的三维量子阱CMOS集成器件。本发明制作的三维量子阱CMOS集成器件与现有三维集成器件相比,具有速度快和性能好的优点。