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[00142426]电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201310204891.8

交易方式: 技术转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  一种电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器。该磁性元件包括底电极层,形成在底电极层上的第一磁性层,形成在第一磁性层上的非磁性隔离层,形成在非磁性隔离层上的第二磁性层和形成在第二磁性层上的保护层或顶电极层,第一或第二磁性层的厚度在设定临界厚度以下,以使第一或第二磁性层的磁化方向可通过施加在保护层或顶电极层和底电极层之间并垂直于磁性层的电场进行切换。该磁性随机存储器包含所述磁性元件。本发明的磁性元件利用电压或电场进行磁性自由层的磁化方向转换,从而实现数据的存储,排除了通过移动大量电子的必要性,因此将大大提高能效,同时存储密度也显著提高,而且由于不使用复杂铁电氧化物层和额外特殊设计,其结构亦非常简单。

  一种电场驱动的磁性元件及磁性随机存储器。该磁性元件包括底电极层,形成在底电极层上的第一磁性层,形成在第一磁性层上的非磁性隔离层,形成在非磁性隔离层上的第二磁性层和形成在第二磁性层上的保护层或顶电极层,第一或第二磁性层的厚度在设定临界厚度以下,以使第一或第二磁性层的磁化方向可通过施加在保护层或顶电极层和底电极层之间并垂直于磁性层的电场进行切换。该磁性随机存储器包含所述磁性元件。本发明的磁性元件利用电压或电场进行磁性自由层的磁化方向转换,从而实现数据的存储,排除了通过移动大量电子的必要性,因此将大大提高能效,同时存储密度也显著提高,而且由于不使用复杂铁电氧化物层和额外特殊设计,其结构亦非常简单。

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