[00141790]GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
电池充电器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210496057.6
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种GaAs/GaInP双结太阳能电池，包括分子束外延生长的GaAs子电池、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，所述GaInP子电池包括形成于所述隧道结上的势垒层，所述势垒层为p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构。本发明还公开了一种双结太阳能电池的制作方法以及多结级联太阳能电池。本发明基于p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构对p型掺杂源Be的扩散的抑制，利用分子束外延生长方法，将常用的AlGaInP做势垒和背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构优化为p+-AlInP/p+-GaInP做势垒同时AlInP作为顶层电池的背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构。从而将抑制p型掺杂源的扩散，实现隧道结光电流密度的提高，有效提高双结太阳电池效率。
本发明公开了一种GaAs/GaInP双结太阳能电池，包括分子束外延生长的GaAs子电池、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，所述GaInP子电池包括形成于所述隧道结上的势垒层，所述势垒层为p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构。本发明还公开了一种双结太阳能电池的制作方法以及多结级联太阳能电池。本发明基于p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构对p型掺杂源Be的扩散的抑制，利用分子束外延生长方法，将常用的AlGaInP做势垒和背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构优化为p+-AlInP/p+-GaInP做势垒同时AlInP作为顶层电池的背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构。从而将抑制p型掺杂源的扩散，实现隧道结光电流密度的提高，有效提高双结太阳电池效率。
