[01394433]低温烧结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料及其制备方法
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所属行业:
建筑材料
类型:
非专利
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技术详细介绍
一种低温烧结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料,用下述通式0.02Pb(Mg1/2W1/2)O3-yPb(Sb1/2Nb1/2)]O3-(0.39-y)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb0.59(Zr0.38Ti0.21)O3+xLi?SbO3表示的材料组成,式中0.00wt.%<x≤0.40wt.%,0.000≤y≤0.030mol。其制备方法包括制备锑酸锂、配料合成、预烧、造粒、压片、排胶、烧结、烧银、极化工艺步骤。本发明经实验室研究结果表明,所制备的五元系压电陶瓷材料,压电常数高、平面机电耦合系数高、低温烧结性能好,与文献报道的同类压电陶瓷材料相比,机械品质因数Qm和介电损耗tanδ明显降低,压电常数d33和平面机电耦合系数Kp明显提高,并且烧结温度明显从1200℃降到900℃,制备工艺简单,重复性好,成品率高,成本低
一种低温烧结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料,用下述通式0.02Pb(Mg1/2W1/2)O3-yPb(Sb1/2Nb1/2)]O3-(0.39-y)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb0.59(Zr0.38Ti0.21)O3+xLi?SbO3表示的材料组成,式中0.00wt.%<x≤0.40wt.%,0.000≤y≤0.030mol。其制备方法包括制备锑酸锂、配料合成、预烧、造粒、压片、排胶、烧结、烧银、极化工艺步骤。本发明经实验室研究结果表明,所制备的五元系压电陶瓷材料,压电常数高、平面机电耦合系数高、低温烧结性能好,与文献报道的同类压电陶瓷材料相比,机械品质因数Qm和介电损耗tanδ明显降低,压电常数d33和平面机电耦合系数Kp明显提高,并且烧结温度明显从1200℃降到900℃,制备工艺简单,重复性好,成品率高,成本低