[00135420]ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过中试
专利所属地：中国
专利号：201110239699.3
交易方式：
技术转让
联系人：
汪元元
进入空间
所在地：上海上海市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
发明专利名称：
ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法
发明专利简介：
本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。利用ZnO良好的光电特性和Cu的低电阻率，加入Cu中间层，形成ZnO/Cu/ZnO的三明治结构。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。
发明专利名称：
ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法
发明专利简介：
本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。利用ZnO良好的光电特性和Cu的低电阻率，加入Cu中间层，形成ZnO/Cu/ZnO的三明治结构。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。
