技术详细介绍
发明专利名称：
一种改善磁控溅射薄膜均匀性的方法
发明专利简介：
本发明提供了一种改善磁控溅射薄膜均匀性的方法，具体的说是通过在基片下方、等离子体区域的上方，外加一个水平匀强磁场区域，并且磁场的位置和大小可以调节。附加水平磁场后，延长了溅射靶材原子(分子)的运动轨迹，增加了与其他粒子的相互碰撞机会，大大提高了薄膜的均匀性。本发明工艺简单，成膜的均匀度高，且参数可控，重复性好、适宜于大规模生产。
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