X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们
欢迎来到科易网(仲恺)技术转移协同创新平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00134423]绝缘体上的硅材料上加工纳米图形的电子束曝光方法

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:200910032299.8

交易方式: 技术转让

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

进入空间

所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明公开了一种绝缘体的硅材料(SOI)上加工极限纳米图形的电子束曝光方法,其特征步骤依次包括:对SOI背面的底层Si进行厚度削减及抛光;对SOI正反面的顶层Si及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层;对底层Si进行光刻或结合刻蚀,形成刻蚀窗口,并进一步刻蚀至埋层SiO
本发明公开了一种绝缘体的硅材料(SOI)上加工极限纳米图形的电子束曝光方法,其特征步骤依次包括:对SOI背面的底层Si进行厚度削减及抛光;对SOI正反面的顶层Si及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层;对底层Si进行光刻或结合刻蚀,形成刻蚀窗口,并进一步刻蚀至埋层SiO

推荐服务:

Copyright © 2015 科易网 版权所有 闽ICP备07063032号-5