[00134411]一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200910025456.2
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种通过原子力显微镜精确定位测定III族氮化物单晶表面位错类型并统计不同类型位错密度的检测方法，属于半导体材料质检领域。其目的是通过标记检测区域，利用原子力显微镜对标记区域表面形貌进行测试，然后将样品进行多次腐蚀，并在每次腐蚀后用原子力显微镜对标记的同一检测区域进行重复测试，多次腐蚀和测试后统计得到每个腐蚀位错坑的腐蚀速率，判定对应的位错类型，进而统计各类型位错的密度。本发明突破传统透射电子显微镜的位错检测方法，制样方法简单，位错类型判定准确高效，不仅可用于工业上各类半导体材料的质量检测，促进III族氮化物基光电器件在光电产业的发展，也能应用于关于薄膜材料位错腐蚀动力学的科学研究。
本发明公开了一种通过原子力显微镜精确定位测定III族氮化物单晶表面位错类型并统计不同类型位错密度的检测方法，属于半导体材料质检领域。其目的是通过标记检测区域，利用原子力显微镜对标记区域表面形貌进行测试，然后将样品进行多次腐蚀，并在每次腐蚀后用原子力显微镜对标记的同一检测区域进行重复测试，多次腐蚀和测试后统计得到每个腐蚀位错坑的腐蚀速率，判定对应的位错类型，进而统计各类型位错的密度。本发明突破传统透射电子显微镜的位错检测方法，制样方法简单，位错类型判定准确高效，不仅可用于工业上各类半导体材料的质量检测，促进III族氮化物基光电器件在光电产业的发展，也能应用于关于薄膜材料位错腐蚀动力学的科学研究。
