[00133985]压电铁电薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
可规模生产
专利所属地：中国
专利号：201010235315.6
交易方式：
技术转让
联系人：
上海纳米技术及应用国家工程有限公司
进入空间
所在地：上海上海市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
专利技术名称：
压电铁电薄膜的制备方法
专利技术简介：
一种锆钛酸铅系陶瓷制备技术领域的压电铁电薄膜的制备方法，通过配制前驱体溶液、利用PLD法制备衬底以及利用Sol-Gel法在PZT结晶种子层上制备压电铁电薄膜实现。本发明利用PLD和Sol-Gel相结合的方法制备的PZT厚膜，对不同的基片适用性强；制备的PZT厚膜具有高度择优取向且晶粒大小均匀、结构致密的突出优点，可制备出3-6微米厚的锆钛酸铅薄膜，剩余极化值Pr为25～45μC/cm2，矫顽场Ec为40～65kV/cm。同时，本发明方法实现成本相对低廉；且该发明程序可控性强，具有很高的工业化运用的价值。
专利技术名称：
压电铁电薄膜的制备方法
专利技术简介：
一种锆钛酸铅系陶瓷制备技术领域的压电铁电薄膜的制备方法，通过配制前驱体溶液、利用PLD法制备衬底以及利用Sol-Gel法在PZT结晶种子层上制备压电铁电薄膜实现。本发明利用PLD和Sol-Gel相结合的方法制备的PZT厚膜，对不同的基片适用性强；制备的PZT厚膜具有高度择优取向且晶粒大小均匀、结构致密的突出优点，可制备出3-6微米厚的锆钛酸铅薄膜，剩余极化值Pr为25～45μC/cm2，矫顽场Ec为40～65kV/cm。同时，本发明方法实现成本相对低廉；且该发明程序可控性强，具有很高的工业化运用的价值。
