[00133453]红外读出芯片
交易价格：
面议
所属行业：
微电子
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：ZL200710019476.X
交易方式：
技术转让
技术转让
联系人：
孙伟锋
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
该系列技术成果主要用于红外探测信号的检测电路，主要具有背景噪声抑制、高动态范围的特点。
本成果提出适用于常温(300K)和低温(77K)下MOS器件的新模型以应用于致冷型红外焦平面阵列CMOS 读出电路设计；提出了一种自适应积分电容噪声抑制技术，不仅能有效地降低最小噪声等效电荷，提高动态范围，而且所增加的电路不占用很大单元面积。同时还提出了一种基于 CTIA 型注入电路的开关电容积分器模式背景抑制技术及对应的读出电路，可以不用增加额外的背景抑制电流源，受工艺偏差的影响小，明显降低了背景抑制非均匀性，提高了读出电路的动态范围。
该系列成果已经通过了流片验证。相关成果都已申请了专利和发表了学术论文。该成果可以解决国内研制的致冷型红外焦平面阵列 CMOS 读出电路在高背景红外探测下的动态范围小的问题，应用前景良好。
包含：
发明 红外焦平面读出电路 ZL 2007 1 0019476.X
发明 红外焦平面读出电路的单元电路 ZL 2008 1 0020660.0
发明 焦平面的开窗读出电路 ZL 2008 1 0020795.7
发明 分阶段背景抑制红外焦平面单元电路 ZL 2009 1 0184799.3
发明 一种线性高动态范围红外读出电路 ZL 2009 1 0030321.5
发明 一种红外读出电路的背景抑制方法及其电路 ZL 2009 1 0033324.4
发明 红外焦平面读出电路分阶段背景抑制方法 ZL 2009 1 0184800.2
该系列技术成果主要用于红外探测信号的检测电路，主要具有背景噪声抑制、高动态范围的特点。
本成果提出适用于常温(300K)和低温(77K)下MOS器件的新模型以应用于致冷型红外焦平面阵列CMOS 读出电路设计；提出了一种自适应积分电容噪声抑制技术，不仅能有效地降低最小噪声等效电荷，提高动态范围，而且所增加的电路不占用很大单元面积。同时还提出了一种基于 CTIA 型注入电路的开关电容积分器模式背景抑制技术及对应的读出电路，可以不用增加额外的背景抑制电流源，受工艺偏差的影响小，明显降低了背景抑制非均匀性，提高了读出电路的动态范围。
该系列成果已经通过了流片验证。相关成果都已申请了专利和发表了学术论文。该成果可以解决国内研制的致冷型红外焦平面阵列 CMOS 读出电路在高背景红外探测下的动态范围小的问题，应用前景良好。
包含：
发明 红外焦平面读出电路 ZL 2007 1 0019476.X
发明 红外焦平面读出电路的单元电路 ZL 2008 1 0020660.0
发明 焦平面的开窗读出电路 ZL 2008 1 0020795.7
发明 分阶段背景抑制红外焦平面单元电路 ZL 2009 1 0184799.3
发明 一种线性高动态范围红外读出电路 ZL 2009 1 0030321.5
发明 一种红外读出电路的背景抑制方法及其电路 ZL 2009 1 0033324.4
发明 红外焦平面读出电路分阶段背景抑制方法 ZL 2009 1 0184800.2
