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[00129759]半导体场致电子发射研究

交易价格: 面议

所属行业: 微电子

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 技术转让

联系人: 黄庆安

进入空间

所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

场致电子发射一般是在金属或半导体等表面施加高强度的电场、通过隧道效应使电 子进入真空中。与热电子发射相比,利用场发射的冷阴极具有功耗低、响应速度快等优 点。采用微加工技术可以容易制备出大面积场发射阵列,从而大大提高了发射电流密度, 使冷阴极在高频器件和平板显示等领域显示出广阔的应用前景。 本项目突出的、有明显创新的内容有: ⑴ 建立了N 型硅场发射期间表面量子化作用下的场发射理论。量子化的作用使场 发射电流明显增大;来自导带底准连续能级的发射可能导致发射电流的微小振荡。该方 面的结果被日本、韩国等同行多次引用,并做为例证来说明其理论或实验结果。 ⑵ 建立了硅表面存在本征氧化层情况下的场发射理论;提出了本征氧化层中的陷 阱是导致发射不稳定的因素,并建立了相关理论。该方面的成果被美国、德国等同行多 次引证,用来解释所观察到的实验现象。 ⑶ 提出了P 型硅场发射期间,硅表面场增强产生载流子的机制。 ⑷ 研究了键合工艺在制备场发射阵列中的关键技术问题,将键合技术应用于场发 射阵列的制备。该方面的研究成果被美国、韩国同行作为场发射新技术加以引用,并指 出这种技术可以提高封装密度。
场致电子发射一般是在金属或半导体等表面施加高强度的电场、通过隧道效应使电 子进入真空中。与热电子发射相比,利用场发射的冷阴极具有功耗低、响应速度快等优 点。采用微加工技术可以容易制备出大面积场发射阵列,从而大大提高了发射电流密度, 使冷阴极在高频器件和平板显示等领域显示出广阔的应用前景。 本项目突出的、有明显创新的内容有: ⑴ 建立了N 型硅场发射期间表面量子化作用下的场发射理论。量子化的作用使场 发射电流明显增大;来自导带底准连续能级的发射可能导致发射电流的微小振荡。该方 面的结果被日本、韩国等同行多次引用,并做为例证来说明其理论或实验结果。 ⑵ 建立了硅表面存在本征氧化层情况下的场发射理论;提出了本征氧化层中的陷 阱是导致发射不稳定的因素,并建立了相关理论。该方面的成果被美国、德国等同行多 次引证,用来解释所观察到的实验现象。 ⑶ 提出了P 型硅场发射期间,硅表面场增强产生载流子的机制。 ⑷ 研究了键合工艺在制备场发射阵列中的关键技术问题,将键合技术应用于场发 射阵列的制备。该方面的研究成果被美国、韩国同行作为场发射新技术加以引用,并指 出这种技术可以提高封装密度。

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