[00128170]高亮度LED纳米图形化衬底制备技术与装备
交易价格：
面议
所属行业：
微电子
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过中试
专利所属地：中国
专利号：201010503788.X
交易方式：
技术转让
联系人：
苏州苏大维格光电科技股份有限公司
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
苏大维格研制成功“纳米图形化直写光刻设备”NanoCrystal-8，支持2" - 6"蓝宝石衬底的微纳米图形（300nm-3um周期点阵）光刻，写入效率高、纳米精度定位、无掩膜，结构可调等特性，为大尺寸衬底纳米结构加工提供了新手段，也为纳结构器件和材料制造与研究提供了新设备。
NanoCrystal-8安装“混合位相调制干涉光学系统”，由位相分束器件和大数值孔径透镜组构成的光学系统，位相分束模式（双光束、三光束、四光束和复杂光场）产生不同纳米结构（线栅、点阵、蜂窝和其他结构），在衬底光刻胶上直写不同特性的纳米结构，如蜂窝点（三光束）、点阵（四光束）和其他非周期结构（复杂光场）。 在波长351nm下，形成的点阵特征结构实际可达150nm。对于NanoCrystal-8，光斑尺寸为300um，连续位相调制从均匀像素光斑变化到含有150nm结构，精确到10nm的变化。NanoCrystal-8图形化周期可自动选择和设置，通过光斑平铺曝光功能，制备出几乎所有周期的纳米结构。
苏大维格研制成功“纳米图形化直写光刻设备”NanoCrystal-8，支持2" - 6"蓝宝石衬底的微纳米图形（300nm-3um周期点阵）光刻，写入效率高、纳米精度定位、无掩膜，结构可调等特性，为大尺寸衬底纳米结构加工提供了新手段，也为纳结构器件和材料制造与研究提供了新设备。
NanoCrystal-8安装“混合位相调制干涉光学系统”，由位相分束器件和大数值孔径透镜组构成的光学系统，位相分束模式（双光束、三光束、四光束和复杂光场）产生不同纳米结构（线栅、点阵、蜂窝和其他结构），在衬底光刻胶上直写不同特性的纳米结构，如蜂窝点（三光束）、点阵（四光束）和其他非周期结构（复杂光场）。 在波长351nm下，形成的点阵特征结构实际可达150nm。对于NanoCrystal-8，光斑尺寸为300um，连续位相调制从均匀像素光斑变化到含有150nm结构，精确到10nm的变化。NanoCrystal-8图形化周期可自动选择和设置，通过光斑平铺曝光功能，制备出几乎所有周期的纳米结构。
