[01188782]一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构及其制备方法2
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本发明公开了一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构及其制备方法,该膜系结构位于太赫兹探测器敏感单元的顶层,包括介质薄膜及位于其上的太赫兹吸收层。所述介质薄膜为采用PECVD混频技术制备的低应力氮化硅或氧化硅薄膜,该介质薄膜被反应离子刻蚀为微纳米量级的粗糙表面,所述太赫兹吸收层由磁控溅射法制备在表面粗糙的介质薄膜上。由于粗糙的介质薄膜表面结构增大了太赫兹吸收层的表体比,有效增强太赫兹辐射吸收率,并且制备工艺简单合理,易大面积制备与集成,可广泛应用于各种太赫兹探测与成像技术领域,为高性能太赫兹探测器的研制提供有力支持。